電子廠無塵室防護措施
一、電子廠無塵室須知
1. 進入電子廠無塵室前，必須知會管理人，并通過基本訓練。
2. 進入電子廠無塵室嚴禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報章，雜志，鉛筆...等)不可攜入，并嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進入電子廠無塵室前，需在規定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內，外衣置于衣柜內，私人物品置于私人柜內，柜內不可放置食物。
4.進入電子廠無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進入。
5. 戴口罩時，應將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時污染芯片。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應先整理服裝以及頭發，以免著上無塵衣后，不得整理又感不適。
7. 整肅儀容后，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發必須完全覆蓋在帽內，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥后，再著無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應注意帽之下擺應保平整之狀態，無塵衣不可反穿。
9. 穿著無塵衣后，才著鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實蓋在褲管之上。
10. 戴手套時應避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套后，應將手套之手腕置于衣袖內，以隔絕污染源。
11. 無塵衣著妥后，經洗塵，并踩踏除塵毯，方得進入無塵室。
12. 不論進入或離開無塵室，須按規定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區域為之，尤不可在無塵室內邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時，應即換新。
14. 脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。
15. 脫下之無塵衣應吊好，并放于更衣室內上層柜子中;鞋套應放置于吊好的無塵衣下方。
16. 更衣室內小柜中，除了放置無塵衣等規定物品外，不得放置其它物品。
17. 除規定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置于規定處所。
19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重復使用。
20. 任何東西進入無塵室，必須用灑精擦拭干凈。
21. 任何設備的進入，請知會管理人，在無塵室外擦拭干凈，方可進入。
22. 未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當處理，例如關閉水、電、氣體等開關。
23. 無塵室內**不可動火，以免發生意外。
二、無塵室操作須知
1.  處理芯片時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的芯片須經清洗，方得繼續使用：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2) 芯片清洗后進行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，準備進爐管時，若發現所用鑷子有污損現象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來存放于規定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進擴散爐前，請特別注意，防止上述動作產生，若芯片上沾有纖維屑時，用氮**噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出芯片時，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。
6. 操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水槽。
7. 使用化學站或烤箱處理芯片時，務必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內，不可使用塑料盒。
8. 擺置芯片于石英舟時，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進氧化爐。
9. 請勿觸摸芯片盒內部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺，手套若燒焦、磨破或纖維質變多必須換新。
11. 非經指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的味道或反應異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關人員。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務必立刻告知負責人員或老師。
14. 芯片盒進出無塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進入。
15. 無塵室內一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區操作須知
1. 濕度及溫度會影響對準工作，在黃光區應注意溫度及濕度，并應減少對準機附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2. 上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區以免感光。
3. 己上妥光阻，而在等待對準曝光之芯片，應放置于不透明之藍黑色晶盒之內， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光罩使用時應持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮**吹之。
5. 曝光時，應避免用眼睛直視曝光機汞燈。
四、鑷子使用須知
1. 進入實驗室后，應先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3. 鑷子使用后，應放于各站規定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應自行保管，不可和實驗室內各站之鑷子混合使用。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時，順序應由后向前挾取，放回芯片時，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。
6. 挾取芯片時，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7. 嚴禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8. 鑷子僅可做為挾取芯片用，不準做其它用途。
五、化學藥品使用須知
1. 化學藥品的進出須登記，并知會管理人，并附上物質可靠資料表（MSDS）于實驗室門口。
2. 使用化學藥品前，請詳讀物質可靠資料表(MSDS)，并告知管理人。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進行換酸工作。
4. 不得任意打開酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時，千萬記得加酸于水，絕不可加水于酸。
6. 勿嘗任何化學藥品或以嗅覺來確定容器內之藥品。
7. 不明容器內為何種藥品時，切勿搖動或倒置該容器。
8. 所有化學藥品之作業均須在通風良好或排氣之處為之。
9. 操作各項酸液時須詳讀各操作規范。
10. 酸類可與堿類共同存于有抽風設備的儲柜，但絕不可與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶內，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內。
13. 勿任意更換容器內溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時，必須經評估后方可攜入，并請于容器上清楚標明容器內容物及保存期限。
15. 廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機、等，分開處理并登記，回收桶標示清楚，廢液桶內含氫氟酸等酸堿，**不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保可靠，**不可用手觸碰，先將電源總開關與相關閥門關閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，并報備管理人。
六、化學工作站操作
1.   操作時須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2.   不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.   添加任何溶液前，務必事先確認容器內溶劑方可添加。
4.  在化學工作站工作時應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化學槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險發生，另一方面亦減少污染機會。
5.   化學站不操作時，有蓋者應隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關關上。
6.  化學藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應即用水沖洗濺傷部位15分鐘以    上，且必須皮膚顏色恢復正常為止，并立刻安排急救處理。
7.   化學品外泄時應迅速反應，并做適當處理，若有需要撤離時應依指示撤離。
8.   各化學工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機臺及工作臺，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1.   DIWater                  5min
2.  H2SO4:H2O2=3:1            煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3.   DIWater                  5min
4.  HF:H2O                   10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5.   DIWater                  5min
6.   NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5     煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7.   DIWater                  5min
8.  HCl:H2O2:H2O=1:1:6        煮10~20min  75~85 ℃  去離子
9.   DIWater                  5min
10.  Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水則先倒水﹐H2O2濟后倒﹐數字比為體積比。
2. 有機與酸堿**不可混合﹐操作平臺也務必分開使用。
3. 酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分開置于室外回收筒。
5. 氫氟酸會腐蝕骨頭﹐若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。
6. 清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振蕩。
 9. 每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。
無塵室系統
使用操作方法
1. 首先打開控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調整，一般溫度控制為20℃ DB ，濕度控制為50% RH。
＊左側的控制器面板上電壓切換開關為【RU】，電流切換開關為【T】。右側的控制器面板上電壓切換開關為【RS】，電流切換開關為【OFF】。
2. 將箱型空氣調節機的送風關關打開，等送風穩定后再將冷氣暖氣開關打開，此時紅色燈會亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷氣的起動順序為壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節為指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分流開關AIR VALVE 為【ON】。
3. 無塵室使用完畢后，要先將箱型空氣調節機關閉，按【停止】鍵即可。
4. 再將控制器面板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關依序關閉。
 
氣體鋼瓶
使用操作方法
1.     用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開PURGE關閉。
2.     由黑色轉鈕調整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時針方向為增加，逆時針方向為減少。
3.     將N2鋼瓶調整為40psi（黃光室內為20psi）,AIR鋼瓶調整為80psi（黃光室內為60psi）。
4.     氣體鋼瓶使用完畢后，用把手順時針關閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關閉【PURGE】打開將管路內的氣體排出后將【PURGE】關閉。
純水系統
使用操作方法
1.   閥門控制
(1)   閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。
(2)    閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關。
(3)    閥門V9、V20為調壓作用，不可全開或全關。
(4)   閥門中V5為砂濾機之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2.   自動造水
步驟1：如上【閥門控制】將各球閥門開關定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關保持在【OFF】位置。
步驟3：將控制箱上【系統運轉】開關切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水。
步驟6：此時，PUMP1、PUMP2依序激活，系統正常造水，RO產水經管路進入儲水桶(TANK)，當水滿后控制箱上高液位指示燈亮，系統自動停機，并于儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。
3.   系統用水
將控制箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關切換至【用水】，此時PUMP3輸送泵浦激活，TANK內之純水經幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后，供現場各使用點使用。
4.   夜間循環
控制箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關，主要在配合每日下班或連續假日停止供水后管路之衛生考慮，其步驟為:
(1)   停止供水59分鐘后，系統再自動供水1分鐘。
(2)   此后每隔59分鐘供水循環1分鐘至夜間循環【停】為止。
5.   系統偵測
本系統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作為系統運轉之控制，其功能如下:
壓力表1：砂濾機進水壓力
壓力表2：RO進水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進水壓力
壓力表5：供水回流壓
流量計1：RO排水流量
流量計2：RO產水流量
另外，控制箱(機房)附有二段式LED導電度顯示屏，原水及產水分別切換顯示。
6.   系統維護
HF-RD系統，應定期更新之耗材:
(1)   砂濾機應定期逆時。
(2)預濾應每1-2個月更新。
(3)膜管應視其去除率及產水量做必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個月更新。
7.  故障排除
     現      象 可能因素 排除方法
系統停機、系統無法激活 1.  外電源異常2.  系統運轉開關未按下3. 系統電路故障4.  馬達/泵浦故障 1.  檢查系統電源電路2. 按下系統運轉開關3.  通知廠商4.  更新馬達/泵浦
低產水量 1.  膜管排水量太高2.  壓力不足3.  膜管阻塞 1. 調整排水閥V92.  清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1.  樹脂功能下降2.  RO去除率下降 1.  更換樹脂2.   更換RO膜組
 
光罩對準機
使用操作方法
曝光機簡介
    在半導體制程中，涂布光阻后的芯片，須經UV紫外光照射曝光顯影，此臺曝光機為OAI200系列，整合光罩對準、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
    OAI200系列為一入門型光罩對準儀，可以手動操作更改各項使用參數，如曝光時間、曝光強度及曝光功率等等。對于中高階的線寬有很好的顯影效果，此系列濟大可使用四吋的芯片，濟大的曝光功率為1KW。
曝光機使用步驟
1.     檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機下方延長線的紅色總開關，再開啟曝光機、顯微鏡。
2.    接上隧道式抽風馬達電源，進行曝光機抽風步驟，并檢查曝光機上方汞燈座后面進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣，則無法開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進風口有進氣后，才可開啟曝光機下方的汞燈電源供應器ON/OFF開關。
3.    按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鐘，此時電流值會上升〈代表汞燈點亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點亮。
4.    汞燈點亮后，至少須待機30分鐘，使Lightsource系統穩定。假使汞燈無法點亮，請不要作任何修護動作。
5.    待系統穩定后，把電源供應器上的電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀錄。
6.     旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下，對準三個基準點，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊ 先用氮氣吹光罩和MASK Holder，光罩正面朝下，對準黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個黑鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。
7.     扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAMEUP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8.     扳動臺邊鈕(Ball LockButton)為Unlock，順時針方向慢慢旋轉旋轉鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可，然后逆時針旋轉ZKnob約15格，扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時針方向旋轉Zknob，會使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準時，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會直接摩擦。
＊ 若不須對準時，可以不使用逆時針方向旋轉Z knob。
＊ 旋轉Zknob時，不論順時針或逆時針轉動，當皮帶打滑時，代表芯片基座已和光罩接觸，此時不可逆時針旋轉，而導致內部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9.    移動顯微鏡座，至光罩上方，作芯片與光罩的對準校正。如須調整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調桿，校正芯片座X、Y及θ。
10.
 
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機面板左側如下圖：
 
注意：
＊曝光秒數有兩種設定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當按下1000SEC時，計數器濟大可設999秒的曝光時間；按下100SEC時，計數器濟大可設99.9秒的曝光時間。
＊ 再設定曝光秒數時要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機左端底，后然將OAI 306 UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完畢后按RESET，而且可多測幾個不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時間(SEC)即變可mJ的單位。
11. 設定好曝光秒數后，即可進行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會產生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的按鈕，此時基座才可移動，移至曝光機左端底，放開按鈕，則曝光機會自動進行曝光的動作。
13. 曝光完成后，即可將基座移回曝光機右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會充氮氣破光罩與芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。
14. 逆時針旋轉Z knob，降下芯片基座至濟低點。松開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動【SUBVAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16. 如須進行再一次的曝光，則可重復上述步驟。
17. 完成所有的曝光程序后，先關掉顯微鏡光源產生器，再關掉汞燈電源供應器。〈關燈后一小時內不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉
18. 先關隧道式抽風馬達電源，關掉曝光機的開關【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關掉曝光機下方的延長線總開關。待曝光機冷卻后，濟后再關掉墻上氮氣閥及空氣閥。
熱蒸鍍機
使用操作方法
A.開機步驟
1. 開機器背面的總電源開關。
2. 開冷卻水，需先激活D.I Water 系統。
3. 開RP，熱機2分鐘。
4. 開三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。
5. 開DP，熱機30分鐘(熱機同時即可進行Sample 之清洗與裝載，以節省時間)。
B.裝載
1. 開Vent，進氣之后立刻關閉。
2. 開Chamber。
3.  Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關Chamber，關門時務必注意門是否密合，因機器年久失修，通常須用手壓緊門的右上角。
C.抽真空
1. 初抽
  (1)三向閥切至R.V位置(濟好每隔幾分鐘就切換到F.V一下，以免DP內的幫浦油氣分子擴散進入chamber中)。
  (2) 真空計VAP-5顯示至5´10-2 torr時三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
  (1) M.V ON，記錄時間。
  (2) ION GAUGE ON，壓下Fil 點燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2´10-5 Torr時，開始加入液態氮。
2. 壓力低于2´10-6 Torr時，記錄壓力及抽氣時間并關掉ION GAUGE。
3.  Heater Power ON (確定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。
注意:
 ＊ 鍍金時，儀表上電流約100A，鍍Al時電流可稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高熱發出紅光時，應立即關閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。
＊ 空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開Shutter，開始蒸鍍。
 ＊ 蒸鍍完成后，立刻關閉HeaterPower，等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷卻30~60分鐘。
5. 開Vent(進氣后立刻關閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關Chamber，注意將門關緊。
 
F.關機
1. 關F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之后關閉。
3. 開F.V，30秒后三向閥切至關閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關總電源。
6. 關冷卻水。
7. 關氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時，電流應緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。
＊ 若接續他人使用，液態氮可少灌一點兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管
使用操作方法
氧化爐管簡介
    本實驗室所采用之氧化爐管為Lenton LTF1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區大于50cm，濟高溫度可達1200°C并可連續24hr，濟大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動溫度控制器。
目的
   將硅芯片曝露在高溫且含氧的環境中一段時間后，我們可以在硅芯片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。Switch在有電源供應時【l】將會發光，而氧化爐也將開始加熱。
＊如果過溫保護裝置是好的，請確定警報點的設定于目前的使用過程中為恰當地。如果過熱保護裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制操作中有警報一致的程序。
＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率濟大不能超過3°C per min。
＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化爐時不要在濟大溫度下關閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發生，并填寫操作記錄。
2. 檢查機臺狀態
(1) 控制面板狀態：使用前先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。
(2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前后段爐溫差£40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 將芯片緩慢的推入爐管內。
4. 打開墻上H2、O2之開關和機房的氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下【HEAT】Switch為【l】，此時爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標準制程溫度1100°C，升溫速率濟大不能超過3°C per min。
7.     待爐溫降至恒溫后將芯片取出。
8.     關閉H2、O2 。
9.     關閉爐管后端H2之開關及墻上之開關和機房的氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關機動作。
11. 填寫操作記錄之終了時間和異常保護及說明。
 
 
涂布機
使用操作方法
1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機后面的電源插座。
2. 將涂布機的插頭插入110V的電源插座，然后按下【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的轉速及時間，本機型為二段式加速的Spin Coating，右邊為弟一段加速，左邊為弟二段加速。
4. 依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉轉盤做涂布的動作。
5.按下【PUMP】鍵，此時旋轉轉盤會吸住基材，然后將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外涂開至適當的量，在做光阻涂開動作時可先用氮氣將旋轉轉盤周圍及基材吹干凈。
6. 蓋上涂布機的保護蓋，以防止光阻濺出涂布機外。
7. 按下【START】鍵，涂布機便開始做涂布的動作。
8. 涂布完畢后，打開保護蓋，按下【PUMP】鍵旋轉轉盤會放開基材，便可以將基材取出。
 
熱風循環烘箱
使用操作方法
1. 本機使用電壓110V/60HZ。
2. 確認電壓后，將電源線插入110V的插座。
3. 打開【POWER】開關，此時溫度表PV即顯示箱內實際溫度。
4. 首先按【SET】鍵ÿ，SV會一直閃爍此時即可開始設定溫度，而SV的字幕窗會呈現高亮度，在高亮度的位置可設定所需的溫度，只要再按【SET】鍵ÿ高亮度會隨之移動，在高亮度的地方即可設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵▼則溫度往下遞減。
6. 當完成以上設定溫度之后(SV仍閃爍不停)此時只要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的溫度(PV顯示實際溫度)。
7. 加熱燈OUT顯示燈亮時表示機器正在加熱中，而到達設定點時OUT會一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時表示溫度正自動演算中。
9. ALM-1紅色燈亮時表示溫度過熱(溫度會自動降溫)。
    10. ALM-2紅色燈亮時表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
    11. 溫度范圍:40℃~210℃。   半導體無塵室可靠工作規范