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新近的行業發展說明，在測量半導體的結構元件時，由于結構元件的不斷減小，使測量和污染物控制的關系越來越緊密。
Therma-Wave有限公司已經開始大量生產一種薄膜式的關鍵尺寸測量工具，它將公司分子污染物清潔系統進行了改良，并做成了內置式的。這個具有解吸作用的裝置，能**晶片表面聚集的分子污染物，從而可以對薄膜進行測量。
KLA-Tencor公司生產的光學薄膜式測量產品中有解吸作用的模塊。據KLA-Tencor公司的技術專家Arun
Srivatsa介紹，這個模塊通常用來清潔、測量目標，并在使用劃線器劃線的測量目標上進行可選測量。他補充說明到，這項技術是將晶片表面的一小塊區域加熱，從而使得有機物蒸發，這在65納米及以下的生產工藝中，測量柵氧化層和其他超薄薄膜時具有很高的利用價值。
這些薄膜的厚度小于50埃（牛
5納米。KLA-Tencor公司的研究表明：柵氧化層形成后的兩個小時內，空氣分子污染物的聚集可能超過0.5埃。這足以導致薄膜光學測量的失敗，因為十分之一埃的誤差就將導致測量工具顯示錯誤的結論。
所以，量具公司必須引進一種叫“使用點”的污染物清潔控制。只有先除去污染物后進行測量，才能保證得到正確的結果。
濟近，Xidex公司表示他的納米碳管將應用在半導體測量工具上。該行業想使用納米碳管制造掃描式探針顯微鏡的**。這些**像微型探針一樣運動，可以描繪出分
子大小的輪廓。掃描式探針顯微鏡，又被稱為原子能顯微鏡，能在先進半導體加工過程中，準確測量出被測物體的很深的孔、長寬比很高的槽和關鍵尺寸等數據（例如即將應用的32nm加工過程）。
SEMATECH研究協會對納米碳管的特性非常感興趣，現正與Xidex公司一起進一步研究這項技術。納米管不像其他的材料，它非常耐磨、可以在納米級大小的直徑下生產。由于彎曲半徑非常小，從而可以制造出比其他材料更小的**。
盡管現在已經裝備了納米碳管工具，掃描式探針顯微鏡仍要面對由于污染物造成的測量挑戰。Xidex公司的解決方案是使用所謂的輕敲模式。Xidex公司的總經理兼CEO
Paul McClure先生說：“這樣**可以立即接觸到表面，并自行驅動，快速進出任何表面，而對測量結果不產生任何影響。
當前，這種**還未在潔凈室環境內生產，但隨著產量的上升可能發生改變。SEMATECH公司的光刻測量項目部經理John
Allgair先生預言：“為增加產量，應該在潔凈室環境內生產，并且要在包裝前對產品的尖部進行保護。”
用先進的測量工具戰勝納米級污染物。
圖中是Xidex公司用掃描探測顯微鏡顯示的超大圖，是納米碳管（細線）在相對大一些的尖形硅結構上生長的情形。在生產先進半導體時，那些表面傳感器具有重要的測量能力，可以看到污染物控制問題變得日益緊要。
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