人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產生的ESD是指因人體在地上走動磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當此人去碰觸到IC時，人體上的靜電便會經由電子元器件而進入電子元器件內，再經由電子元器件放電到地去，如圖1(a)所示。此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns)的時 間內產生數(shù)安培的瞬間放電電流，此電流會把電子元器件內的元件燒毀。 不同HBM靜電電壓相對產 生的瞬間放電電流與時間的關系見于圖1(b)。對一般商用IC的2-KV ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。
圖1(a)HBM的ESD發(fā)生情形
圖1(b)在不同HBM靜電電壓下，其靜電放電之電流與時間的關系
有關于HBM的ESD已有工業(yè)測試的標準，為現(xiàn)今各國用來判斷IC之ESD可靠度的重要依據(jù)。圖2顯示此工業(yè)標準 (MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效電路圖，其中人體的 等效電容定為100pF，人體的等效放電電阻定為1.5K Ω。另\外在國際電子工業(yè)標準(EIA/JEDEC STANDARD)中 ，亦對此人體放電模式訂定測試規(guī)范(EIA/JESD22-A114-A)，詳細情形請參閱該工業(yè)標準。
表1人體放電模式(HBM)的工業(yè)標準測試等效電路及其耐壓能力等級分類
CLASSIFICATION |
Sensitivity |
Class1 |
0 to 1,999Volts |
Class2 |
2,000 to3,999 Volts |
Class3 |
4,000 to15,999 Volts |
